Elena Gnani ha conseguito il dottorato di ricerca in Ingegneria Elettronica e Informatica nel 2003 con una tesi dal titolo “Modelli fisici per nanostrutture MOS”.
Dal 2014 è Professore Associato presso la stessa Università, dove si occupa di attività di ricerca riguardanti la fisica, la modellazione, la progettazione e la caratterizzazione di dispositivi CMOS avanzati (Nanosheets, Forksheets), transistor beyond-CMOS (Tunnel-FETs, ferroelectric FETs, Cold-source FETs), e la modellazione e simulazione di qubit a superconduttore e spin qubit a semiconduttore.
Inoltre, Elena Gnani si occupa da molti anni dello studio dell’affidabilità dei dispositivi di potenza per applicazioni “smart power”, per i quali è necessario un dimensionamento preciso per ottenere la massima conduttanza in condizioni ON e la massima tensione di rottura con minima occupazione di area. Più recentemente, ha iniziato ad analizzare i materiali plastici utilizzati per il packaging dei chip di potenza.
La sua attività di ricerca si distingue per le collaborazioni con importanti centri di ricerca e industrie del settore dei semiconduttori, tra cui EPFL di Losanna (Svizzera), Forschungszentrum Jülich (Germania), CEA-LETI Grenoble (Francia), IBM Zurigo, ETHZ Zurigo (Svizzera), Institute of Microelectronics (IME) Singapore, Infineon Technologies AG, KTH Royal Institute of Technology (Svezia), IHP - Innovations for High Performance Microelectronics (Germania), ST-Microelectronics (Francia) e Texas Instruments (USA). Tali collaborazioni sono evidenti in numerose pubblicazioni congiunte e nella partecipazione a diversi progetti finanziati a livello nazionale, internazionale e da enti privati.
Il coinvolgimento in tali gruppi di ricerca si riflette nella continuità della partecipazione di Elena Gnani a 27 progetti di ricerca finanziati da enti pubblici e privati, sia a livello nazionale che internazionale. In particolare, è stata Principal Investigator di un progetto FIRB “Futuro in Ricerca”, Responsabile Scientifico per l’Università di Bologna di due progetti europei, E2SWITCH e Attoswitch, e ha partecipato a numerosi altri progetti, ricoprendo anche il ruolo di leader di Work Package.
Elena Gnani partecipa a numerosi comitati tecnici di prestigiose conferenze internazionali del settore (es. ESSDERC, DATE, IEDM). È stata General Chair della prima conferenza congiunta EUROSOI-Ulis nel 2015 ed è membro degli Steering Committee delle conferenze ESSDERC ed EUROSOI-Ulis, nonché dell’Executive Committee dell’IEDM. È stata inoltre Sub-committee Technical Program Chair delle conferenze DATE e IEDM. EG è revisore per numerose riviste internazionali ed è Associate Editor della rivista IEEE Transactions on Electron Devices (IEEE-TED).
Collabora attivamente con la Commissione Europea come revisore di proposte e progetti in corso, e lavora anche con altre agenzie di finanziamento, come la French National Research Agency (ANR) e la Swiss National Science Foundation (SNF).
È Senior Member dell’IEEE, IEEE EDS Distinguished Lecturer, e Vice-Chair dell’IEEE EDS Region 8 Subcommittee for Regions & Chapters. Ha ricevuto anche il premio Solid-State Electronics High Quality Paper Award.
La produzione scientifica di Elena Gnani include 222 pubblicazioni: 101 articoli su riviste internazionali, 113 atti di conferenze internazionali, 6 capitoli di libro e 2 editoriali. I suoi principali indici bibliometrici su Scopus sono: 3.088 citazioni e un h-index pari a 30.
